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高壓戶內外真空斷路器作為一種重要的電氣設備在我國得到了廣泛使用,但出現毛病的情況也時有發生。現對高壓戶內外真空斷路器運行中的常見毛病，分別從本體和組織兩個方面進行剖析,并提出了處理辦法和改善措施。
1高壓戶內外真空斷路器本體方面的問題
1.1密封結構
高壓戶內外真空斷路器為真空滅弧，一般充較低壓力SF6氣體作為絕緣介質,產品的密封問題首要是主密封結構的SF6氣體泄漏和真空滅弧室的密封結構損壞。
1.1.1主密封氣體走漏
充有SF6的高壓電器設備的氣室要求密封杰出，年漏氣率不大于0.5%。主密封漏氣的首要原因是:法蘭密封槽面防護不妥,如有劃傷壓痕.密封圈有刮傷裂紋,別的，鑄鋁殼體有鑄造缺陷;安裝進程操控不妥,如密封槽面安裝時未整理徹底,密封部位螺栓未嚴厲使用力矩扳手,未按規定力矩緊固;產品設計問題,首要指密封圈緊縮量問題,緊縮量太大不能確保密封牢靠,緊縮量太小易使密封圈受力損壞，以25%~ 30%緊縮量為宜。
1.1.2滅弧室損壞
真空滅弧室是固定的陶瓷或玻璃外殼,經過可伐與金屬銜接",起靜密封效果,可動的導電桿經過波紋管與金屬銜接,起動密封效果。被紋管絕大多數是選用0.15mm的不銹鋼油壓成型，真空斷路器使用環境的污穢、濕度鹽霧等會引起波紋管點狀腐蝕,導致波紋管及封接面的漏氣;另一方面,在斷路器調試進程中導電桿與滅弧室同軸度調整不行,運動中將會使金屬封接部分受力不均,波紋管損壞,導致滅弧室漏氣。處理辦法:第一，在真空滅弧室動導電桿與下出線法蘭觸摸的地方增加導向設備,避免動導電桿搖擺而損壞波紋金、鐵道電氣化以及礦山等職業得到了廣泛的使用。產品從曩昔的ZN1-ZN5幾個種類到現在數十個型號、種類,額外電流到達4000A,開斷電流到達50KA,甚至有63kA,電壓到達35kV等級。今世真空斷路器的發展水平和技能進步，首要表現在以下幾個方面:
1、真空滅弧室的小型化
我國有關研討所和高等院校對真空滅弧室的小型化曾作了不少工作，研討的方向是選用各種縱向磁場結構的真空滅弧室和尋求新的觸頭資料。由于縱向磁場結構的電極開斷才能強，在額外的短路開斷電流相同，設計裕度和工藝水平相同的條件下，縱向磁場結構的電極比橫向磁場結構的電極小得多，選用縱向磁場結構電極的真空滅弧室可以做得小些。這就是真空滅弧室選用縱向磁場結構電極后，使真空滅弧室小型化的原因。真空滅弧室向小型化方向發展，表現在真空滅弧室管徑不斷縮小，如將12kV 31 .5kA真空滅弧室的管徑縮小到88mm,U系列小型化陶瓷滅弧室，將管徑在12kV 31.5kA"下縮小至85mm。真空滅弧室管徑的縮小，又有利于斷路器和開關柜小型化。小型化真空滅弧室的直徑縮小，原資料節約和工藝費用下降。因此真空滅弧室的生產本錢大幅度下降和真空斷路器可以做得更緊湊。此外，隨著真空滅弧室外殼尺度的縮小，外殼上的真空密封焊縫的長度縮短，真空滅弧室漏氣的可能性減小，真空滅弧室的牢靠性進步，小型化真空滅弧室的其他功能也遠遠優于橫向磁場真空滅弧室。小型化真空滅弧室的開發和推廣，是我國真空斷路器進人一個新的發展階段的重要標志。
2、發展大容量高壓等級真空斷路器
高壓戶內外真空斷路器在我國現已得到廣泛應.用。特別是在中等電壓領域里，真空斷路器已占有明顯優勢。但還缺少大容量種類，對中等電壓真空斷路器的使用規模將受到必定約束，因此很有必要開發10kV系列真空斷路器的大容量標準以進一步完善化。往后將持續研討試制更大額外電流和更大額外開斷電流的10kV電壓等級的真空斷路器。為了習慣大容量發電機組保護用的斷路器，我國正在開發額外電壓24kV.額外電流12.5K A和額外開斷電流125~240KA的高壓戶內外真空斷路器。
此外，我國在完成野外額外電壓110kV.額外開斷電流31. 5kA的根底上將持續開發額外電流更大、額外開斷電流更大的110kV高壓戶內外真空斷路器外，同時開發220kV電壓等級的高壓戶內外真空斷路器。
3.研發新的觸頭資料
銅鉻合金是現在真空滅弧室觸頭資料中具有優良電功能的資料之一。 它的首要缺陷是熔焊功能較差和工藝要求復雜。在不影響其他功能的情況下，適當地參加脆性相能很好地改善關合才能和動熱穩定性，是處理CuCr觸頭資料抗熔焊功能的有效途徑之一。特別是對于開斷電流50kA以上的大容量高壓戶內外真空斷路器產品，觸頭熔焊是需求處理的關鍵問題之一。進步觸頭觸摸壓力也可以協助處理熔焊問題，但勢必帶來機械牢靠性方面的副效果。實驗證明，用添加脆性相資料的辦法可以改善CuCr觸頭資料的抗熔焊功能，下降熔焊強度。
近年來對CuMnTa、CuMnNb.CuCrTa和CuCoTa等系列的觸頭資料研討已有發展。這幾種觸頭資料制作本錢雖略高于CuCr觸頭資料，但具有優良的電功能和低的熔焊強度。國內有關院校和研討所已開端進行上述觸頭資料的研討，制作廠也已制出樣品，進行相關的實驗，并已獲得必定成果。低截流值觸頭資料亦在研發中，常用的辦法是在觸頭資料中參加飽和蒸汽壓比較高的資料。一般這種辦法對觸頭斷口間耐壓和開斷短路電流才能都會發生不利影響。在不下降電功能的情況下下降截流水平，從現在情況來看尚存在較大難度，但研討工作已大有發展。
4、改善觸頭結構
由平板觸頭到橫磁場觸頭再到縱磁場觸頭，使得電弧不在集合而呈擴散形狀，以進步開斷才能、進步牢靠性和縮小尺度?？v向磁場電極結構的發展是近幾年來高壓戶內外真空斷路器技能的重大進步。在開斷才能和穩定性以及抗電蝕性等方面，都比橫向磁場觸頭結構有優勢。一般來說縱向磁場觸頭復雜程度并不高，造價也在可承受的合理規模，已為真空斷路器設計人員和制作單位遍及承受。
